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模拟电子技术及实验

2023年3月1日大约 4 分钟学习电子与电路

模拟电子技术及实验

b 站课程:郑益慧(原本看过一段时间华成英的,发现看不下去)

关于电路仿真实验,windows 系统可以尝试下 QucsStudio,是一个免费的闭源模拟器。(帮我踩坑

电子元器件

二极管

PN 结电流方程:I=Is(eUUT1),UT=26mV,IS\displaystyle I=I_s(e^\frac{U}{U_T}-1),U_T =26mV,I_S 为饱和电流

温度升高,同电压下的电流变大。每升高 1℃,正向压降减小 2-2.5mV;每升高 10℃,反向电流增大一倍。

直流电源驮载小交流信号在二极管上,可以等效为电阻(伏安特性曲线)

正向压降,硅管 0.7 V,锗管 0.2V

三极管

三极管本质:1. 电流放大,Ic=βIb,(β为共射放大系数)\displaystyle I_c = \beta I_b,(\beta\text{为共射放大系数}), 2. Ube\displaystyle U_{be} 二极管压降

牢记输入特性曲线(类似二极管)与输出特性曲线。温度升高,输入曲线左移,输出上移。

(H 参数微变等效,中低频):b e 加电阻,c e 加流控电流源

场效应管

g,s,d 对应三极管的 b,e,c,跨导 gm 对应三极管的 β

N 沟道结型场效应管需要工作在 UGS(off)<UGS<0\displaystyle U_{GS(off)}<U_{GS}<0 的条件下

N 沟道增强型/耗尽型 MOS 管转移特性方程:iD=IDO(UGSUGS(th)1)2,IDO(IDSS)\displaystyle i_D=I_{DO}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^2,I_{DO}(I_{DSS})在不同型代表的意义不同。

单级放大电路

指标:通频带,指 A > 0.707 Am 的频率区域。

共射放大电路:底部失真为饱和,顶部失真为截止。

分析法

等效电路法:三极管等效为 rbe=rbb+(1+β)UTIEQ=ΔUbeΔIb\displaystyle r_{be}=r_{bb'}+(1+\beta)\frac{U_T}{I_{EQ}}=\frac{\Delta U_{be}}{\Delta I_b} (复习:如何求 rbe?)

输出电阻越小,输出电压越稳定;输出电阻越大,输出电流越稳定。

特点

多级放大电路

电流源

频率响应

(物理模型等效,全频域):

物理模型等效

且还能再继续简化。gm=β0/rbe\displaystyle g_m=\beta_0/r_{b'e}

多级频率响应

级数越多,通频带越窄。

fL2=1.1fLi2\displaystyle f_L^2=1.1\sum f_{Li}^2,修正系数

反馈

负反馈在相同端子:并联负反馈;相异端子:串联负反馈

参数

负反馈影响

电压比较器

种类:单限,双限,滞回,

非正弦波发生电路

  1. 矩形波:滞回比较器 + 电容
  2. 三角波:矩形波 + 积分器