常量:
e = 1.6×10^-19C
ε0=8.85×10−12 C2/N⋅m2
真空磁导率:μ0=4π×10−7 T⋅m/A
高斯定理:ϕ=ε0Q
无限长直导线场强:E=2πε0rλ
无限大平面场强:E=2ε0σ
均匀带电球体场强:E={4πε0R3qr4πε0r2qr<Rr≥R
均匀带电圆环对轴线上一点的场强:E=4πε01(x2+R2)3/2qx
平行板电容器:C=dε0S=UQ
同心球电容器:C=4πε0RB−RARARB (使用电势计算)
同轴柱形电容器:UAB=∫AB2πε0rλdr=2πε0lqlnRARB , C=UABq
电容器能量:W=2CQ2=21QU=21ε0E2
地球电量约为 46000 C
平行板电容器带电 +Q,-Q 拉开 dx 能量变化 2ε0SQ2
相对介电常数:εr=1+χe=ε0ε
极化强度矢量:P=χeε0E
(极化强度矢量定义为单位体积内电偶极矩的矢量和,χe为电极化率。)
电位移矢量:D=ε0E+P=ε0εrE
介质中的高斯定理:∬SD⋅dS=S内∑q (积分符号应为环路二重积分)
有介质时,仅需把真空中的公式中 ε0 替换为 ε0εr 即可。
Biot-Savart law: dB=4πμ0r2Idl×er, dB=4πμ0r2Idlsinα
载流直导线产生的磁场:B={4πaμ0I(cosθ1−cosθ2)B=2πaμ0I有限长无限长 a:距离 θ:<I,r> I:1→2
载流圆线圈轴线磁场:B=2(R2+x2)3/2μ0IR2 方向由右手定则确定。
密绕螺线管磁场:B={2μ0nI(cosβ2−cosβ1)μ0nI有限长无限长 n=N/L:匝密度 β:<B,r> r指向螺线管表面两端
Ampère's circuital law: ∮LB⋅dl=μ0L内∑I
无限长圆柱均匀载流导体磁场:B={2πR2μ0Ir2πrμ0Ir<Rr>R
磁矩:μ0=IS ,S:回路面积,方向:右手定则
磁场能量:Wm=21LI2=21BHV 能量密度:wm=Wm/V
电流元受力(安培定律变形):dF=Idl×B
洛伦兹力:F=qv×B 圆周运动半径:R=qBmv
线圈磁矩:m=NIS 所受磁力矩:M=m×B
磁场力做功:A=IΔΦ
磁场强度:H=μ0B−M, M 为磁化强度
磁介质的安培环路定律:∮H⋅dl=∑I
磁化率:χm=HM
相对磁导率:μr=1+χm
B=μ0μrH
法拉第电磁感应定律:感应电动势 εi=−dtdΦN
磁链:ΦN=NΦ(匝数x磁通)=NBS
动生电动势:εi={−BlvNBSωsinωt运动导线转动线圈
自感系数:L=μ0lN2πR2=IΦN
互感系数:M=I1Φ21=I2Φ12=kL1L2
双缝干涉 第 k 级明文距中心: x=kλdD
叠加光强:I=4I0cos22Δϕ I0 为每个波分别照射的光强。
相位差与光程差:Δϕ=λ2πδ
等倾薄膜干涉(n1<n2>n1):δ=2dn22−n12sin2i+2λ={kλ(2k+1)2λ加强减弱
牛顿环条纹半径:r=(δ−2λ)R
牛顿环条纹间距:Δr=(k+1−k)Rλ
增透膜满足干涉相消:d=4nλ
(Fraunhofer) 单缝衍射公式:δ=asinθ=afx=⎩⎨⎧±kλ∈−(λ,λ)±(2k+1)2λ暗纹中央明纹其余明纹 k=1,2,3...
圆孔衍射 最小分辨角(第一级暗环衍射角):θR=1.22dλ
光栅衍射明纹:(a+b)sinθ=±kλ
光栅常数 d = a + b
缺级:k=aa+bk′
偏振片光强变化:I=I0cos2θ ;自然光通过,光强减半。
Brewster's angle: θB=arctan(n1n2)
坐标系 K' 沿 Ox 方向以速度 u 匀速运动,则:β=u/c, y'=y, z'=z,
x′=1−β2x−ut(⇒x=1−β2x′+ut′)
t′=1−β2t−c2ux(⇒t=1−β2t′+c2ux′)
(1−c2uvx)⋅⎩⎨⎧vx′=vx−uvy′=vy1−β2vz′=vz1−β2
(1+c2uvx′)⋅⎩⎨⎧vx=vx′+uvy=vy′1−β2vz=vz′1−β2
时间延缓:t=1−β2t0
长度收缩:l′=l01−β2
m=1−(cv)2m0
energy-momentum relation: E=c2p2+E02